宏微科技：1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证，部分产品已形成小批量出货-新快报

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宏微科技：1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证，部分产品已形成小批量出货

[财富观察] 时间：2025-07-02 02:20:20 来源：新快报作者：货币点击：114次

10月31日消息，宏微科技披露投资者关系活动记录表显示，公司在半导体芯片及模块封装业务方向的研发已取得实质性进展，包括1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证；自主研发的SiC SBD芯片也已通过多家终端客户的可靠性验证和系统级验证，部分产品已形成小批量出货。在模块产品方面，车规级1200V SiC自研模块正在研制中，亦已通过可靠性验证。同时，公司表示会坚决拥护国家利好政策，结合战略规划和经营发展需要，用好回购、增持等资本运作工具提升公司投资价值。关于回购或增持计划，公司将按照法律法规要求及时履行信息披露义务。另外，公司在2024年第三季度，工控领域、新能源发电领域和新能源汽车领域的营收占比分别约为33%、26%和40%，整体营收结构相对稳定。

(责任编辑：时讯)

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